带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析

作者：孙浩; 齐鸣; 徐安怀; 艾立鹍; 苏树兵; 刘新宇; 刘训春; 钱鹤

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2006, (08): 1431-1435.

• InP/InGaAs
• 异质结双极晶体管
• 复合集电区
• 掺杂
• 势垒尖峰 InP/InGaAs
• heterojunction bipolar transistor
• composite collector
• doping
• barrier spike

设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InPDHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n+-InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InPDHBT结构材料.器件研制结果表明,所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰,显著改...

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 中国科学院微电子研究所