本发明公开了一种基于FDSOI器件背栅结构的静态随机存取存储器(SRAM),该新型静态随机存取存储器上所有的晶体管为FDSOI器件,器件的背栅与字线WL相连。在SRAM进行读写操作时,字线为高电平,使得PMOS阈值电压增大,NMOS阈值电压减小,从而加强了SRAM的写入能力,提高了读取电流；在保持状态下,字线WL为低电平,本发明的SRAM上的器件阈值电压与传统FDSOI SRAM上器件的阈值电压并无差异,因此静态功耗不变。
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