为改善双边栅和辅助栅控制的高肖特基势垒隧穿场效应晶体管性能，提出一种基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管。新设计的硅体被刻蚀成U型结构，通过刻蚀硅体两侧形成垂直插入式源漏接触，将源漏电极插入U型硅体两侧垂直部分的一定高度，使源漏接触附近带带隧穿产生区的有效面积显著增加，从而实现更高的开态电流。通过实验，将新结构与HSB-BTFET比较，表明HOSC-HSB-BTFET结构可以实现更高的开态电流、更低的反向漏电流、更小的亚阈值摆幅和更高的开关电流比。
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