超薄膜Si外延生长过程的动力学蒙特卡罗模拟

作者：陈书汉

来源：广东第二师范学院学报, 2011, (05): 40-45.

• 硅薄膜
• 动力学蒙特卡罗
• 温度
• 覆盖率 Si thin films
• lattice-kinetic Monte Carlo
• temperature
• coverage

建立超薄膜Si外延生长的晶格-动力学蒙特卡罗模型,并应用该模型模拟了Si原子在Si(111)基底上外延生长的过程.系统研究了沉积时间、基片温度对于薄膜初始生长形貌的影响,如影响粒子的扩散与凝聚、岛的生长等微观过程.

• 单位
  嘉应学院; 光电材料与技术国家重点实验室; 中山大学