多功能电子信息材料MoS2的制备及其催化性能研究

作者：李聪; 谭明; 王亚玲; 李辉^*

来源：功能材料, 2023, 54(05): 5095-5100.

• 半导体材料
• MoS2
• Ag掺杂
• 光谱性能
• 光催化性能

半导体材料作为电子信息材料的一种，因具有较宽的禁带宽度和高的载流子迁移率成为了人们关注的热点材料之一。通过水热法制备了不同质量分数Ag掺杂(0,1%,3%,5%,7%)的MoS2复合材料，采用XRD、SEM、UV-Vis、FT-IR、Raman和催化性能分析等手段对Ag掺杂MoS2复合材料的晶体结构、微观形貌、光谱性能和催化性能进行了测试与表征。结果表明，水热法合成了单一相的六方晶系MoS2,Ag成功掺杂到了MoS2中。Ag掺杂的MoS2复合材料为纳米片堆积形成的圆球状结构，Ag掺杂增大了MoS2纳米球的直径，尺寸在300～350 nm之间。Ag的掺杂诱导了MoS2的晶型从2H-MoS2相结构向1T-MoS2相结构转变，1T-MoS2相结构的晶型含量增加。MoS2复合材料对于可见光和紫外光的吸收能力增强，5%(质量分数)Ag掺杂的MoS2复合材料的吸收强度最高。Ag的掺杂显著提高了MoS2的光催化活性，在光照120 min时，5%(质量分数)Ag掺杂的MoS2复合材料对RhB的降解效率达到了最大值92.79%,相比纯MoS2,降解效率提高了129.74%,Ag掺杂MoS2复合材料在光催化降解方面有着潜在的应用价值。

• 单位
  河南农业大学