应用电子辐照技术试制硅塑封快速二极管及性能研究

作者：杭德生; 张治平; 张宇蔚; 史晓东; 高宝山; 刘星

来源：核技术, 2013, (01): 68-72.

• 电子辐照
• 少子寿命
• 反向恢复时间
• 正向峰值压降
• 缺陷能级 Electronic irradiation
• Minority carrier lifetime
• Reverse recovery time
• Positive peak pressure drop
• Defect level

介绍了采用高能12 MeV电子辐照效应来控制快速二极管少子寿命的方法,探讨了高能电子辐照对器件少子寿命τ、反向恢复时间trr和正向峰值压降VFM的影响,用高分辨率深能级瞬态仪(DLTS)测定和研究了引入缺陷能级的性质。应用研究结果表明,辐照快速二极管体内引入的缺陷能级是导致其电参数trr和VFM变化的直接原因,该技术可成功取代传统的掺金工艺,并具有τ控制精确,trr和VFM一致性好、重复性好、合格率高、工艺简便的优点,是一项具有发展前途的工艺技术。

• 单位
  南京大学; 无锡爱邦辐射技术有限公司