过采样和非线性校正在中子发生器控制台上的应用

作者：郭纪佑; 范琦; 乔双^*

来源：东北师大学报(自然科学版), 2021, 53(02): 127-133.

DOI：10.16163/j.cnki.22-1123/n.2021.02.022

• 中子发生器
• ARM
• 过采样
• 最小二乘法

在以往的中子发生器控制台中,由于AD采样精度低、驱动电路电子器件产生温漂、时漂,导致整体采样电路非线性误差大.针对上述问题,提出了使用过采样技术提高AD采集分辨率,同时利用最小二乘法线性回归对采样结果进行非线性校正.使用ARM-Cortex-M4为内核的STM32F407作为主控芯片,使用过采样技术并结合电路特性进行非线性校正,将AD采集分辨率由12位提高到16位,采样数据采用最小二乘法拟合后,结果非线性误差为0.2%,符合中子发生器控制台精度要求.

• 单位
  物理学院; 东北师范大学