100μm大晶粒多晶硅薄膜的铝诱导法制备

作者：唐正霞; 沈鸿烈; 解尧; 鲁林峰; 江枫; 沈剑沧

来源：功能材料, 2010, (03): 453-456.

• 薄膜
• 多晶硅
• 铝诱导晶化
• 氧化时间 thin film
• aluminum-induced crystallization
• polycrystalline silicon
• oxidation time

以Corning Eagle 2000玻璃为衬底,用磁控溅射法制备了glass/a-Si/Si O2/Al叠层结构,于Ar气保护下退火,制备了具有很强的(111)择优取向,最大晶粒尺寸达100μm的铝诱导晶化多晶硅薄膜。研究结果表明,非晶硅的氧化时间越长,所制备的多晶硅晶粒尺寸越大,当氧化时间达约47h后,再延长氧化时间对薄膜性能的影响不明显。还发现退火温度越高,晶粒越小,但是反应速率越快。

• 单位
  固体微结构物理国家重点实验室; 南京航空航天大学; 南京大学