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摘要
本实用新型公开了一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管。所述可弯曲式场效应光电晶体管,自下至上依次包括柔性衬底、二维Ga2S3纳米片,且所述二维Ga2S3纳米片层的上方设有源电极、漏电极和栅电极；栅电极设置在源电极和漏电极之间。本实用新型提供了一种在SiO2/Si衬底上直接用CVD法直接外延生长大面积Ga2S3材料,再通过机械剥离转移实现了柔性化可弯曲式场效应光电晶体管的制备,本实用新型的场效应光电晶体管可应用于智能穿戴、弯曲显示、工业自动控制、可见光通信等领域,经济效益可观。
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