摘要
本发明涉及一种基于二硫化钨/石墨烯/硒化锗异质结的偏振光电探测器及其制备方法,该光电探测器包括依次层叠于衬底上的GeSe薄层、Gr薄层和WS-2薄层,GeSe薄层和WS-2薄层的两端分别设置有第一电极和第二电极,薄层Gr和WS-2通过PVA干法转移技术转移至目标衬底上,形成PGN(P-GeSe/Graphene/N-WS-2)结构;在异质结两端设置金属电极,制成偏振光电探测器。该探测器表现出优良的光伏效应,动态光响应时间约25ms,表现出了优越的偏振敏感光检测性能,各向异性光电流比达3。
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