基于衬底注入技术的交叉耦合式QVCO设计

作者：魏迎军^*; 张飞

来源：现代雷达, 2018, 40(12): 74-77.

DOI：10.16592/j.cnki.1004-7859.2018.12.016

• 互补金属氧化物半导体集成电路
• 低功耗
• 衬底注入
• 交叉耦合
• 正交压控振荡器

提出了一种基于衬底注入技术的正交压控振荡器(QVCO)。此QVCO的实现是基于两个电感电容压控振荡器的耦合作用,并没有任何额外的耦合器件。在相位噪声、正交相位误差、调谐范围以及功耗方面,对所提出的QVCO与传统的QVCO进行了比较。仿真表明:该QVCO在4.1 GHz处取得了0.62°的正交相位误差,采用标准的0.13μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺对该QVCO进行流片实现,芯片面积为0.51 mm×0.87 mm。测试结果表明:在3.95 GHz处的相位误差为-118.5 d Bc/Hz@1MHz,在0.5 V电源电压供电下,消耗的功耗为0.41 m W,适用于低功耗需求场合。

• 单位
  黄淮学院