Si衬底功率型GaN基绿光LED性能

作者：苏丽伟; 游达; 程海英; 江风益

来源：光学学报, 2009, 29(04): 1066-1069.

• 光学材料
• Ag反射镜
• 加速老化
• Si衬底
• 绿光LED

对本实验室在Si(111)衬底上MOCVD法生长的芯片尺寸为400μm×600μm功率型绿光LED的光电性能进行研究。带有银反射镜的LED在20 mA的电流下正向工作电压为3.59 V,主波长518 nm,输出光功率为7.3 mW,90 mA下达到28.2 mW,发光功率效率为7.5%,光输出饱和电流高达600 mA。在200 mA电流下加速老化216 h,有银反射镜的LED光衰小于无银反射镜的LED,把这一现象归结于Ag反射镜在提高出光效率的同时,降低了芯片本身的温度。本器件有良好的发光效率、光衰和光输出饱和电流等综合特性表明,Si衬底GaN基绿光LED具有诱人的发展前景。

• 单位
  教育部发光材料与器件工程研究中心; 晶能光电(江西)有限公司; 南昌大学; 晶能光电（江西）有限公司