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摘要
集成门极换流晶闸管(integratedgatecommutatedthyristor,IGCT)是由门极换流晶闸管(gatecommutated thyristor,GCT)和门极驱动电路通过PCB集成的功率组件。GCT的开关控制必须依靠集成门极驱动电路实现，电路中的寄生阻抗会严重影响GCT的开关特性。因此，以目前亟待解决的一类高压大电流IGCT驱动电路板为研究对象，通过对驱动电路的传统布局进行分析，提出一种考虑门极驱动单元和布局的综合优化策略，利用电解电容和陶瓷电容并联的混合电容器组构建驱动单元，同时采用等间距排布的环绕型布局设计电容器组和MOSFET开关组，将寄生阻抗限制在极低水平。最后分别完成了传统型和所提IGCT驱动板设计，实验结果表明所提方案能够有效提升IGCT驱动板性能。
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