CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的脉冲宽度效应理论模型

作者：陈杰; 杜正伟

来源：强激光与粒子束, 2013, (05): 1200-1204.

• 微波脉冲
• CMOS反相器
• 闩锁效应
• 脉冲宽度 microwave pulse
• CMOS inverter
• latch-up effect
• pulse width

从基本半导体物理出发,通过求解载流子连续性方程,建立了能够定量描述引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值与脉冲宽度关系的解析理论模型。通过与仿真结果以及文献中实验数据的对比,验证了该理论模型的正确性。该理论模型表明,引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值首先随着脉冲宽度增加逐渐降低,但是存在一个明显拐点区域,当脉冲宽度超过该区域之后,引起闩锁效应的功率阈值变化不甚明显。

• 单位
  微波与数字通信技术国家重点实验室; 清华大学