摘要

交换偏置效应影响磁敏传感器中的关键性能参数。在外加磁场辅助下,该文提出一种电流产生的焦耳热调控交换偏置效应的研究方法。通过该方法,系统调控了反转型垂直纳米多层膜结构(Co/Pt)n/Co/IrMn(以下简称“垂直多层膜结构”,n+1是Co层周期数)的面内交换偏置效应,不仅连续改变了交换偏置场Heb大小,而且实现了Heb的翻转。在垂直多层膜结构中,如果固定外加磁场Hp (脉冲电流IDC)后连续改变IDC (Hp)的大小可以连续调控Heb的数值;如果固定Hp(IDC)后同时改变IDC(Hp)的大小和方向,则在较大IDC时可实现Heb的翻转。结果表明,该方法可以用来原位调控磁敏传感器的线性磁场范围和灵敏度等关键性能参数,对磁敏传感器的优化研究具有重要的借鉴意义。