宽带隙半导体GaN材料在光电子等方面有重要应用,采用Li3N与Ca同时作为助熔剂的熔盐法,可在温和条件下生长毫米级的GaN块单晶为避免助熔剂之间发生副反应,通过研究不同条件下Li3N与Ca的反应,应用X射线衍射分析技术对产物进行物相鉴定,探讨反应机理并归纳出生成LiCaN的影响因素,从而为GaN生长提供指导。
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