SiC MOSFET短路检测与保护研究综述

作者：吴海富; 张建忠^*; 赵进; 张雅倩

来源：电工技术学报, 2019, 34(21): 4519-4528.

DOI：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.181433

• SiC MOSFET
• 短路保护
• 去饱和检测
• 降栅压

随着宽禁带半导体器件的发展,SiC MOSFET被广泛应用于工业领域,其短路保护也越来越多地为人们所重视。本文首先对SiC MOSFET的短路类型进行讨论,给出不同短路类型下的主要电路波形;然后本文对近年来SiC MOSFET短路检测与保护方法进行概述,详细介绍去饱和检测法、电感检测法、门极电压检测法以及基于罗氏线圈的短路检测法的原理,归纳总结各种检测方案的优缺点;最后提出一种降栅压短路保护电路,实现了SiC MOSFET在短路情况下的两级快速保护。

• 单位
  东南大学