PLD法生长高质量ZnO薄膜及其光电导特性研究

作者：边继明; 李效民; 赵俊亮; 于伟东

来源：无机材料学报, 2006, (03): 701-706.

• ZnO薄膜
• 脉冲激光沉积
• 光电导紫外探测器
• 光电响应机理 ZnO film
• pulsed laser deposition (PLD)
• photoconductive UV detector
• photore-sponsivity mechanism

采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射 (XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌．结果表明,随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加, ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得到显著改善．优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀．以不同暗电阻的ZnO薄膜为材料,利用剥离(lift-off)技术制备了MSM 结构ZnO光电导型紫外探测器．紫外光照射前后的I—V特性测试表明ZnO薄膜产生非常明显的光电导现象,分析了其光电响应机理．

• 单位
  中国科学院上海硅酸盐研究所; 中国科学院研究生院; 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室