浮栅型NAND FLASH存储器擦写耐久与数据保持试验方法研究

作者：刘振旺; 刘岐; 刘文宝; 肖磊; 李清

来源：质量与可靠性, 2020, (06): 17-22.

• NAND Flash存储器
• 擦写耐久
• 数据保持
• 试验方法

对Flash存储器的擦写耐久与数据保持试验方法的国内外标准进行了调研,通过对浮栅型NAND Flash存储器可靠性试验对各影响因素进行研究,最终给出了擦写耐久与数据保持试验方法的建议。

• 单位
  中国航天标准化研究所