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摘要
本发明涉及一种应变GeSn#MOS器件及其制备方法、集成电路及计算机。该一种计算机包括主板、显卡、CPU和存储器,所述显卡、所述CPU和所述存储器设置于所述主板上,且所述主板包括BIOS芯片、I/O背板接口、键盘和面板控制开关接口、内存插槽、CMOS电池、南北桥芯片、PCI插槽；所述显卡、所述CPU和所述存储器包括本发明提供的NMOS器件、PMOS器件或者CMOS器件组成的集成电路,其中NMOS器件、PMOS器件或者CMOS器件通过本发明的激光晶化工艺制备而成。本发明的NMOS器件或者CMOS器件具有很高的空穴和电子迁移率,可显著提升晶体管的速度与频率特性,从而本发明的计算机较现有的芯片及设备具有更优良的特征。
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