本发明公开了集成非对称F-P腔的InSe基日盲紫外光电探测器,是将InSe二维薄片转移至共振波长位于日盲紫外波段的金属/介质层非对称F-P腔上方,利用腔共振,增强InSe在日盲紫外波段的吸收,从而提高InSe基光电探测器的响应度、日盲紫外/可见抑制比,实现日盲紫外光电探测。本发明利用窄禁带半导体材料实现日盲紫外光电探测,制备工艺简单,为高性能日盲紫外光电探测提供了一个新的思路。
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