VLS同质外延6H-SiC薄膜生长的研究

作者：陈一峰; 刘兴钊; 邓新武

来源：材料导报, 2010, (14): 1-4.

• 6H-SiC
• 同质外延
• 气-液-固生长机理 6H-SiC
• homoepitaxy
• vapor-liquid-solid mechanism

碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料,在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学