AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文)

作者：贾辉; 陈一仁; 孙晓娟; 黎大兵; 宋航; 蒋红; 缪国庆; 李志明

来源：发光学报, 2012, (05): 519-524.

• a-AlGaN
• AlN插入层
• 应力
• 拉曼光谱
• 光致发光 a-plane AlGaN
• AlN interlayer
• strain
• Raman spectra
• PL

采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)在r面蓝宝石衬底上生长a-AlGaN外延膜,研究了AlN插入层对a-AlGaN外延膜的应力和光学性质的影响。根据高分辨X射线衍射(HRXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)我们可以得到,AlN插入层有效地提高了a-AlGaN外延膜的晶体质量并减小了外延膜材料结构的各向异性。由拉曼光谱得到AlN插入层的引入减小了a-AlGaN外延膜的面内压应力,其原因是AlN插入层可以当作衬底有效的调制与减小a-AlGaN外延膜与r面蓝宝石衬底的晶格失配,从而使a-AlGaN的面内应力得到适当释放。对室温下的光致发光进行测量得到AlN插入层的使用使近带边发射峰(NBE)发生...

• 单位
  中国科学院研究生院; 发光学及应用国家重点实验室; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所