基于可调有源并联反馈技术的超低功耗宽带低噪声放大器

作者：高丽娜^*; 庞建丽

来源：固体电子学研究与进展, 2018, 38(06): 414-424.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2018.06.005

• 互补电流复用
• 衬底偏置
• 无电感
• 低噪声放大器
• 可调有源并联反馈
• 超低功耗

设计了一款超低功耗宽带低噪声放大器(LNA)。该LNA采用互补电流复用结构,该结构采用共栅级NMOS管和PMOS管作为输入器件。采用有源并联反馈结构以实现输入网络的低功耗,同时反馈级的电流被输入晶体管复用,改善LNA的电流效率。利用衬底偏置方案,对反馈系数进行调节。基于TSMC 0.13μm CMOS工艺技术进行流片,芯片面积为0.007 2mm2。芯片在片测试结果为:在1V电压供电下,消耗了500μA的电流。LNA的3dB带宽为0.1～2.5GHz,增益为9.5～13.6dB,噪声系数低于4.7dB,输入三阶交调截止点为-9.3～-6.8dBm。

• 单位
  黄淮学院