合成条件对纳米SiC介电性能的影响

作者：罗发; 朱冬梅; 苏晓磊; 李智敏; 周万城

来源：稀有金属材料与工程, 2007, S1: 92-94.

• 碳化硅
• 复介电常数
• 碳热-还原
• 溶胶-凝胶
• 掺杂 SiC
• permittivity
• carbothermal reduction
• sol-gel
• doping

用蔗糖、SiO2、Al2O3溶胶,利用碳热还原法合成了碳化硅粉体。研究结果表明,在1450℃有少量碳化硅合成。随着合成温度的提高,合成产物逐步由非晶态转化碳化硅;随着合成产物中碳化硅含量的升高,合成粉末的复介电常数增大。与合成的纯碳化硅相比,添加少量Al2O3溶胶后合成的碳化硅的复介电常数明显升高,其原因在于Al、O分别替代Si、C,导致SiC晶格中出现带电缺陷所致。在N2气氛中合成的碳化硅的复介电常数明显高于Ar气氛中合成的SiC的复介电常数,这是由于N原子固溶到SiC晶格中产生带电缺陷引起的。添加较多Al2O3溶胶后,合成产物的复介电常数的实部、虚部低于添加少量Al2O3溶胶时的合成产物的...

• 单位
  西北工业大学; 凝固技术国家重点实验室