Si基PIN光电探测器电场隔离结构对暗电流的影响

作者：丰亚洁; 何晓颖; 刘巧莉; 王华强; 李冲; 胡宗海; 郭霞

来源：半导体光电, 2017, 38(06): 802-805.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2017.06.007

• Si基光电探测器
• 电场隔离结构
• 暗电流

对Si基PIN光电探测器的电场隔离结构进行了研究,讨论了电场隔离结构的作用以及其与暗电流的关系,并进行了仿真模拟与测试分析。电场隔离结构主要将有源区和边缘隔离从而降低暗电流,结合仿真模拟结果和实验测试结果,分析得到电场隔离结构主要降低与周长有关的暗电流,对于小尺寸器件作用更明显。

• 单位
  电子工程学院; 北京工业大学; 信息光子学与光通信国家重点实验室; 北京邮电大学