碳量子点修饰对有机-无机杂化钙钛矿阻变性能的影响

作者：陈晓婷; 张晓晗; 许嘉琪; 赵晓宁^*

来源：物理实验, 2022, 42(10): 7-13.

DOI：10.19655/j.cnki.1005-4642.2022.10.002

• 阻变存储器
• 有机-无机杂化钙钛矿
• 碳量子点
• 导电细丝

通过在前驱体中添加碳量子点（CQD），制备了具有不同晶粒尺寸的有机-无机杂化钙钛矿CH3NH3PbI3(MAPbI3)薄膜，并以金（Au）和氟掺氧化锡（FTO）为电极制备了具有Au/CQD-MAPbI3/FTO结构的阻变器件．测试了CQD掺杂浓度对器件阻变性能的影响，并分析了其物理机制．结果表明：通过优化CQD掺杂质量浓度可以提升器件开关比，降低器件运行电压的波动．基于导电通道模型，器件阻变性能提升的可能原因为晶界主导的碘离子迁移随机性降低，导电通道结构简化．

• 单位
  东北师范大学; 物理学院