IGBT封装形式对结温测量精度的影响

作者：邓二平; 陈杰; 赵雨山; 赵子轩; 赵志斌^*; 黄永章

来源：半导体技术, 2018, 43(12): 956-963.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.12.013

• 压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
• 焊接式IGBT模块
• 结温测量方法
• 封装形式
• 测量精度

高压大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的不同封装形式(压接型IGBT器件和焊接式IGBT模块)使其热学特性尤其是散热路径存在很大差异,最终可能会影响结温测量方法的适用性和准确性。基于有限元法建立了可表征压接型封装和焊接式封装的等效热学仿真模型,详细研究了小电流下饱和压降结温测量法的物理过程,对比分析了两种封装形式结温测量的精确度。仿真结果表明,小电流下饱和压降结温测量法存在固有测量误差的问题,在高压大功率IGBT模块中尤为突出,但是由于压接型IGBT器件双面散热的特性使芯片内部温度分布更均匀,也使结温测量的误差相对较小。

• 单位
  新能源电力系统国家重点实验室; 华北电力大学