Pb2P2Se6晶体的化学气相输运生长及光学性能

作者:姬磊磊; 朱梦琴; 李芳沛; 介万奇*
来源:铸造技术, 2023, 44(01): 38-42.
DOI:10.16410/j.issn1000-8365.2023.3005

摘要

三元硫属化合物Pb2P2Se6晶体因具有优异的光电性能,在光电领域受到广泛关注。然而,由于P元素易燃易爆等特点导致其难以合成。本文通过高温固相法合成了纯Pb2P2Se6多晶,并基于多晶粉体以NH4Cl为传输剂通过化学气相输运生长法成功生长出单晶。所得到的Pb2P2Se6晶体呈平行四面体,暴露的晶面为(011)面,晶面间夹角为62°和118°。X射线衍射分析证明其晶体结构为单斜晶系,空间群为P21/n(No.14),晶胞参数分别为a=6.897■,b=7.642■,c=9.696■,β=91.5°。此外,晶体的红外透射率在1 000~4 000 cm-1范围内为50%,UV-Vis-IR透过谱拟合禁带宽度为1.89 eV。

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