本发明公开了一种硅基等离子体超宽频带太赫兹波吸收器,所述太赫兹波吸收器包括呈周期性阵列排列的基本单元,基本单元具有正面呈正方形,所述正面具有凹陷的四棱锥,基本单元之间无缝连接,所述太赫兹波吸收器的材料是磷掺杂的n型硅片或者其他半导体材料。本发明提出的硅基等离子体超宽频带太赫兹波吸收器,通过向凹陷的结构设计,产生宽频等离子体谐振效应,增强了吸收率,同时大大提高了相对带宽,简化工艺流程,降低制作成本。
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