2.75μm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器

作者：袁野^*; 柴小力; 杨成奥; 张一; 尚金铭; 谢圣文; 李森森; 张宇^*; 徐应强; 宿星亮; 牛智川^*

来源：中国激光, 2020, 47(07): 303-307.

• 激光器
• 锑化物
• 五元势垒量子阱
• 中红外波段

设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2.75μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2.75μm波段。通过优化分子束外延生长参数,得到了高发光效率的量子阱激光器外延材料,在此基础上设计并制备了腔长为1.5 mm、脊宽为50μm、中心波长为2.75μm的法布里-珀罗腔结构的激光器;所设计激光器可以实现室温连续激射,其最大输出功率为60 mW,阈值电流密度为533 A·cm-2。

• 单位
  半导体超晶格国家重点实验室; 中心实验室; 电子工程学院; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院大学; 北京量子信息科学研究院