摘要
介绍了一种用于计算机磁头精确定位的新型压电元件。该元件采用高速流延工艺制备Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr0.52Ti0.48)O3多层膜,由丝网印刷工艺制作Ag/Pd内电极。为优化元件的制作工艺,对流延过程作了DTA/TGA分析。结果显示,采用110℃、350℃和1090℃的三步烧结工艺可显著提高元件的钙钛化程度,从而提高其压电性能,减少内部缺陷。对元件的XRD分析显示,110℃和350℃时压电薄膜中以钙钛矿相为主,且存在大量的焦绿石相,当烧结温度达到1090℃时,焦绿石相的含量已经很少。SEM分析表明,与最终烧结温度1070℃相比,当烧结温度达到1090℃时元件的显微结构更为致...
-
单位摩擦学国家重点实验室