基于不定形ZrO-x的负电容晶体管

作者：刘艳; 张思清; 刘欢

来源：2021-01-04, 中国, CN202110001652.7.

本发明公开了基于不定形ZrO-x的负电容晶体管,包括：顶部栅极层、类铁电栅介质层、源漏电极层和N型Ge平台。其中顶部栅极层、类铁电栅介质层、源漏电极层在N型Ge平台上依次分布,其中顶部栅极采用TaN材料、类铁电栅介质层采用不定形ZrO-x材料、源漏电极层采用金属B和金属Ni材料。基于不定形ZrO-x的负电容晶体管在1V栅压下实现了45.06mV/decade的亚阈值摆幅和小于60mV的回滞。不定形ZrO-x对器件铁电性能的影响可以用氧空位偶极子解释。该设计有助于推动未来低功耗晶体管的发展。

• 单位
  西安电子科技大学