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摘要
本文介绍了一种采用GaAs二极管设计的高线性吸收式限幅器设计方法。电路采用多级GaAs PIN二极管串联形式和加载功率吸收负载，利用GaAs PIN二极管线性度高、耐功率高的特点，可实现低损耗、线性度高和驻波比优良的高集成限幅器结构。测试结果表明在S频段，限幅器插入损耗小于0.5dB，承受功率可达到10W，输出P-1功率大于22dBm，限幅输出功率小于25dBm。本文提出一种新式高线性吸收式限幅器设计方法，在限幅器技术领域具有广阔的应用前景。
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本文介绍了一种采用GaAs二极管设计的高线性吸收式限幅器设计方法。电路采用多级GaAs PIN二极管串联形式和加载功率吸收负载，利用GaAs PIN二极管线性度高、耐功率高的特点，可实现低损耗、线性度高和驻波比优良的高集成限幅器结构。测试结果表明在S频段，限幅器插入损耗小于0.5dB，承受功率可达到10W，输出P-1功率大于22dBm，限幅输出功率小于25dBm。本文提出一种新式高线性吸收式限幅器设计方法，在限幅器技术领域具有广阔的应用前景。
