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摘要
本发明提出了一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管(VDMOS),该结构主要是在器件栅电极下方的漂移区形成电荷补偿层并在侧壁填充高介电常数(High K)介质层。器件关断时电荷补偿层与High K介质层上具有均匀的电场,通过电场调制使得器件的漂移区内电场分布均匀。同时,电荷补偿层与High K介质层共同辅助耗尽漂移区,大幅度提高了器件漂移区的耗尽能力使得器件的漂移区掺杂浓度增加,降低了器件的导通电阻。器件开启时漂移区的侧壁上具有多数载流子积累层,使得器件的导通电阻进一步降低。
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