基于GaAs工艺的6～18GHz高效率功放单片设计

作者：廖学介; 滑育楠; 刘莹; 邬海峰

来源：电子世界, 2019, (20): 183-184.

DOI：10.19353/j.cnki.dzsj.2019.20.103

<正>本文叙述了一种基于GaAs pHEMT的宽带功率放大器MMIC设计方法,实现了一款6～18 GHz的1W功放单片。测试结果显示,该功放单片小信号增益24dB,功率增益21dB,输出功率大于31dBm,功率附加效率30%～45%。芯片尺寸为:2.9mm×2.4mm×0.1mm。引言:功率放大器在移动通信、军用雷达和电子战系统中大量使用。功放的输出功率、效率、带宽和尺寸是关键技术参数,在过去几

• 单位
  成都嘉纳海威科技有限责任公司