高g值压阻式加速度传感器仿真设计

作者：杨雨君; 王鹏^*; 陈曼龙; 张昌明; 杨帆; 陈芳芳

来源：传感器与微系统, 2022, 41(06): 78-85.

DOI：10.13873/J.1000-9787(2022)06-0078-04

• 加速度传感器
• 压阻式
• 高g值
• 灵敏度

利用硅微材料的压阻效应，结合微机电系统(MEMS)加工技术，设计一种高g值压阻式加速度传感器结构，主要应用于爆炸、冲击测试以及引信侵彻等特殊领域。采用参数分析，确定了传感器的三维模型，提取敏感梁的表面路径，分析总结其应力分布规律，据此确定压敏电阻位置，并设计能单独测量且抗交叉干扰的测量电路。最后通过有限元对传感器敏感结构进行仿真分析，仿真结果表明：该加速度计水平面内其X方向灵敏度为4.37μV/gn,Y方向灵敏度为4.44μV/gn,一阶固有频率为105.80 kHz,量程可达到15×104gn。

• 单位
  陕西理工大学