高效光电调控钙钛矿量子点阻变存储性能

作者：任书霞; 杨铮; 安帅领; 孟婕; 刘晓敏; 赵晋津^*

来源：Acta Physico - Chimica Sinica, 2023, 39(12): 103-110.

• 钙钛矿
• 光电调控
• 阻变存储器
• CsPbBr3
• 离子迁移

光电阻变存储器(RRAM)因其微型化、集成化和多功能等优点成为下一代非易失性存储器中最有前途的竞争者。采用低温旋涂法合成具有绿色荧光的无机CsPbBr3量子点(QDs)为阻变功能层，制备了高效光电调控的Ag/CsPbBr3QDs/ITORRAM器件。该器件具有良好的抗疲劳性能和保持特性。在光照触发下，Ag/CsPbBr3QDs/ITO器件的开关比(ON/OFF比)约为3.2×103，较暗态增大了约24倍；写入电压(VSET)为2.88 V，较暗态降低了约13.3%。电场作用下Br-和Ag+双离子迁移形成混合导电细丝的通断是Ag/CsPbBr3 QDs/ITO器件阻变的主要机制。经光照激发作用，CsPbBr3 QDs薄膜内缺陷密度的减少促进光电流的增大，促进了Ag/CsPbBr3 QDs/ITO器件低阻态(LRS)阻值和VSET减小、进而提高器件ON/OFF比。高效光电调控全无机钙钛矿RRAM技术推动了高密度信息存储器的快速发展。

• 单位
  河北师范大学; 石家庄铁道大学