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摘要
本发明涉及一种基于场板和P型GaN帽层的RESURF#GaN基肖特基势垒二极管,包括：衬底层,所述衬底层上的缓冲层,所述缓冲层上的沟道层,所述沟道层上的势垒层,所述势垒层两端的阴极和复合阳极,与所述复合阳极相连且位于所述势垒层上的P型GaN帽层,与所述复合阳极相连且位于所述P型GaN帽层上的基极,覆盖在所述势垒层、所述P型GaN帽层、所述基极、所述复合阳极、所述阴极上的钝化层,其中,所述阴极为阴极欧姆接触,所述复合阳极包括阳极欧姆接触和阳极肖特基接触。本发明实施例引入P型GaN帽层和基极,并采用复合阳极,制备出具有低正向开启电压、高反向击穿电压的GaN基肖特基势垒二极管。
- 单位
