基于Ge衬底的高带隙AlGaInP太阳电池研究

作者：姜德鹏; 黄珊珊^*; 马涤非; 彭娜; 张小宾

来源：太阳能学报, 2019, 40(09): 2616-2621.

DOI：10.19912/j.0254-0096.2019.09.029

• Ⅲ-V族半导体
• 宽带隙
• 金属有机化合物气相外延
• 量子效率

以高带隙的AlGaInP材料为研究对象,基于AlGaInP/Ge双结电池结构,通过改变AlGaInP子电池的Al组分、基区厚度、窗口层厚度等参数来改善电池的电性能。研究结果表明:随着Al组分从10%降至6%,AlGaInP子电池的材料带隙从2.05 eV降至2.00 eV,外量子效率(EQE)响应的范围及强度均有明显提高,在AM1.5G光谱条件下电池效率从10.01%升至14.86%,并发现通过基区加厚可提高中长波段的EQE响应,而通过窗口层减薄则有利于提高短波EQE响应,最终双结电池在AM1.5G光谱条件下效率达到17.16%。

• 单位
  中山德华芯片技术有限公司; 上海空间电源研究所