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摘要
应用超快脉冲I-V测试系统对不同宽长比的90 nm绝缘体上硅（SOI） nMOSFET的自加热效应展开研究，根据瞬态和稳态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性的对比结果，分析器件受自加热影响的程度。测试结果显示，宽长比为10μm/0.09μm的器件在漏源电压为1.3 V左右时才出现稳态漏源电流比瞬态值明显降低的现象，两者之差随着漏源电压的增加而增加。当漏源电压增至工作电压1.5 V时，瞬态漏源电流比稳态值高3.59%。在栅长相同的条件下，栅宽越短，自加热现象越不明显。进而发现接触孔和金属互连线是器件在测试时快速散热的关键路径，并通过温度分布的仿真结果加以证实。改变器件的环境温度，根据温度与瞬态漏源电流的测试结果计算得到宽长比为10μm/0.09μm的器件在室温条件下的沟道温升为33 K。
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单位中国科学院; 中国科学院大学; 中国科学院微电子研究所
