Al~(3+)掺杂对KDP晶体生长习性的影响

作者：卢永强; 王圣来; 许心光; 孙洵; 顾庆天; 牟晓明; 刘冰

来源：硅酸盐通报, 2009, 28(04): 631-635.

DOI：10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2009.04.003

• KDP晶体
• Al3+离子
• 晶体生长
• 生长习性 KDP crystal
• Al3+ ions
• crystal growth
• growth habit

溶液中微量Al3+对KDP(磷酸二氢钾)晶体生长具有多方面的影响。本文通过传统降温法和"点籽晶"快速生长法生长了Al3+离子掺杂的KDP晶体,并通过激光偏振法实时测量了晶体柱面的生长速度和死区。实验表明,当Al3+掺杂浓度小于20×10-6ppm时可提高溶液的稳定性,并抑制柱面的扩展;而当浓度高于20×10-6ppm时会使传统法生长的晶体发生明显的"楔化",成帽区延长,快速法生长的晶体变得细长;高浓度(>50×10-6ppm)时溶液稳定性遭到破坏,晶体出现开裂、包藏等宏观缺陷。KDP晶体的表面形貌也随掺杂发生改变。

• 单位
  山东大学