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摘要
SOI以其独特的隔离埋层结构实现了器件、电路的全介质隔离,因此具有漏电小、电容小、免疫闩锁、响应快、功耗低等优点,在快速数字电路、抗辐射领域具有良好的应用基础。基于对SOI技术发展的前沿方案的介绍,探讨沟道应变技术以及薄埋层技术如何来优化PD SOI的浮体效应、自热效应,提高SOI的电路的速度,降低寄生效应以及功耗损失。SOI技术对现有成熟的CMOS技术具有很高的兼容性,发展可行性巨大,必将打破体硅的极限,引发硬件行业的重大革命。
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单位中国电子科技集团公司第五十八研究所
