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摘要
用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上以Ag纳米颗粒为催化剂制备了微纳米结构的GaN,原料是熔融态的金属Ga和气态的NH3。采用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、X-ray能谱仪(EDS)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、光致发光能谱(PL)和霍尔效应测试对样品进行了结构、成分、形貌和发光、电学性能分析。结果表明:生成的自组装GaN为六方纤锌矿的类似小梯子的微纳米单晶结构,且在不同的温度下,GaN的发光性能和电学性能也有所不同,相对于强的紫外发光峰,其它杂质发光峰很微弱,且均呈p型导电。对本实验所得到的GaN微纳米结构的可能形成机理进行了探讨。
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