科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
采用粉床型电子束增材制造(SEBM)技术制备了W-3.5Nb合金，研究了电子束线能量密度对W-3.5Nb合金孔洞缺陷形成的影响规律，分析了不同类型孔洞缺陷的形成原因。结果表明：随着电子束线能量密度的升高，缺陷含量降低，当线能量密度升高到1.44 J/mm时，缺陷的体积含量最低为0.01%，继续增大线能量密度，缺陷的体积含量和数量有所增加。合金中孔洞缺陷可分为层间熔合不良、微米级树枝状孔、微米级近球形孔、纳米级球形孔4类。在线能量密度较低(1.08 J/mm)时，大尺寸(大于5000μm3)缺陷占主导，主要为层间熔合不良，形成原因主要是能量输入不足导致的熔池球化和熔化深度不足；当线能量密度升高后到1.32, 1.44和2.2 J/mm，小尺寸(小于2000μm3)缺陷占主导，其中的低球形度缺陷主要为微米级的树枝状孔洞，形成原因主要是熔池扰动引起的液体飞溅，高球形度的缺陷主要为微米级的近球形孔和纳米级球形孔，形成原因主要是熔池凝固过程中的凝固收缩和枝晶间的显微缩松。
- 单位
