离子束轰击对电子束蒸发制备二氧化钛薄膜应力的影响

作者：陈焘; 罗崇泰; 王多书; 刘宏开

来源：真空科学与技术学报, 2009, 29(02): 164-167.

DOI：10.13922/j.cnki.cjovst.2009.02.007

• 二氧化钛
• 离子束轰击
• 张应力
• 压应力
• 薄膜 Titanium oxide
• Ion Beam Bombarding
• Tensile stress
• Compress stress
• Thin films

在硅基底上用电子束蒸发方法制备了二氧化钛薄膜。通过XRD、AFM和薄膜应力测试仪研究了离子束轰击对薄膜应力的影响规律。结果表明沉积温度为323K、沉积速率为0.2nm.s-1时,二氧化钛薄膜具有较小的应力值,平均应力为48.2MPa。用能量为113eV的离子束轰击300s时,平均应力由72.9MPa的张应力变为16.7MPa的压应力。二氧化钛薄膜的微观结构变化是影响薄膜应力的主要因素。