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摘要
相比于Ga面GaN基外延材料,长期以来N面GaN基外延材料的表面形貌与结晶质量均很不理想。然而,通过研究人员的不懈努力,在2007年前后首次通过MBE及MOCVD在蓝宝石和C面SiC衬底上实现了较高质量的N面GaN基外延薄膜与HEMT器件。国内相关研究目前均处于起步阶段。本文的主要工作和研究成果如下: 1.分析了不同应力和层结构下N面GaN/AlGaN异质结的自发极化与压电极化效应对异质结界面处极化电荷浓度σ(X)的影响,理论计算得到了由极化电荷感应出的2DEG的浓度nS(X),阐述了Al_XGa_(1-X)N势垒层厚度及Al组分对2DEG的浓度的影响。 2.根据大量实验并结合...
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