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摘要
本发明公开了一种高密度等离子体复合碳源沉积DLC厚膜的方法,具体包括基体的前处理、镀膜前准备、制备Ti-Si过渡缓冲层、制备DLC厚膜、时效和液氮冷却五个步骤,本方法将脉冲和偏压电源应用于磁控溅射技术中,该方法简单,厚膜的沉积效率高,厚膜的性能优良,适用于多种金属基体的保护,是一种厚膜制备的先进方法,磁控溅射过程中采用高密度混合气体碳源,等离子体密度高,辉光持续稳定,制备的厚膜致密均匀,在提高硬度的同时,又提高了耐蚀性能,这对于一些金属基体表面性能的提高以及扩大某些金属基体的应用,减少磨损、氧化和腐蚀,节约资源有着重要意义和前景。本发明用于制备高硬度的耐蚀DLC厚膜。
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