采用射频磁控溅射与电子束蒸发的方式,制备了ZnO/Ag/ZnO三层复合薄膜,研究了Ag薄膜厚度以及电子束蒸发的沉积速率对复合薄膜光电性能的影响。实验结果表明,当Ag薄膜厚度为8nm、电子束蒸发的沉积速率为0.5nm·s-1时,复合薄膜的性能最优,其方块电阻为6.01Ω,波长400800nm范围内的光平均透过率为91.39%。优化后的ZnO/Ag/ZnO复合薄膜具有良好的光电特性。
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