阻挡层抛光液对铜点蚀电化学行为的影响

作者：赵立仕; 孙鸣^*; 李梦琦; 马忠臣

来源：半导体技术, 2022, 47(06): 460-467.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.06.007

• 铜
• 点蚀
• 络合作用
• 粗糙度
• 缓蚀剂

采用电化学测试方法研究了在以甘氨酸为络合剂的碱性抛光液中，两种不同缓蚀剂1,2,4-三氮唑(TAZ)和苯并三氮唑(BTA)对阻挡层化学机械平坦化(CMP)过程中Cu点蚀缺陷抑制的电化学行为。利用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)表征了TAZ与BTA对Cu表面化学微腐蚀形貌的影响。结果表明，甘氨酸的络合溶解作用会诱发Cu表面氧化膜覆盖度降低而产生局部点蚀；BTA与TAZ均为混合型缓蚀剂，可阻碍Cu表面的微电偶形成，但BTA对Cu表面腐蚀的抗点蚀性显著强于TAZ;CMP过程中的点蚀主要表现为静态局部腐蚀。通过优化缓蚀剂浓度，利于抛光液对Cu CMP实现高去除速率下的点蚀缺陷抑制，同时降低Cu的CMP表面粗糙度，从而提升Cu互连可靠性。

• 单位
  电子信息工程学院; 河北工业大学